常壓的硅外延方法有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）