CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團(tuán)少的化合物的吸附力大于極性基團(tuán)多的化合物。

渦流擴(kuò)散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。