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問答題 在圖所示電路中，設(shè)v1為正弦波，RL=8Ω，要求最大輸出功率Pom=9W。試求在BJT的飽和壓降VCES可以忽略不計(jì)的條件下，求：
（1）正、負(fù)電源VCC的最小值；
（2）根據(jù)所求VCC最小值，計(jì)算相應(yīng)的ICM、|V（BR）CEO|的最小值；
（3）輸出功率最大（Pom=9W）時，電源供給的功率PV；
（4）每個管子允許的管耗PCM的最小值；
（5）當(dāng)輸出功率最大（Pom=9W）時的輸入電壓有效值。

參考答案： （1）VCC的最小值
由，可求得（2）ICM和V（BR）CEO的最小值
（3）求Pv

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1.問答題 在圖所示電路中，設(shè)BJT的β=100，VBE=0.7V，VCES=0.5V，ICEO=0，電容C對交流可視為短路。輸入信號vi為正弦波。
（1）計(jì)算電路可能達(dá)到的最大不失真輸出功率Pom；
（2）此時Rb應(yīng)調(diào)節(jié)到什么數(shù)值？
（3）此時電路的效率η=？試與工作在乙類的互補(bǔ)對稱電路比較。

參考答案：

（1）求Pom

（2）求Rb
考慮到
故
（3）求η

顯然，比工作于乙類的互補(bǔ)對稱電路的理想效率低很多。

2.問答題 電路如圖所示，設(shè)FET的互導(dǎo)為gm，rd很大；BJT的電流放大系數(shù)為β，輸入電阻為rbe。試說明T1、T2各屬什么組態(tài)，求電路的電壓增益ÀV、輸入電阻Ri及輸出電阻Ro的表達(dá)式。

參考答案：

（1）T1、T2的組態(tài)
T1為源極輸出器，T2為共射極電路。
（2）求Àv

（3）求Ri和Ro

3.問答題 已知電路參數(shù)如圖所示，F(xiàn)ET工作點(diǎn)上的互導(dǎo)gm=1mS，設(shè)rd≥Rd。
（1）畫出小信號等效電路；
（2）求電壓增益Àv；
（3）求放大電路的輸入電阻Ri。

參考答案：

（1）畫小信號等效電路
忽略rd，可畫出圖中的小信號等效電路，如下圖所示。

（2）求ÀV

（3）求Ri

4.問答題 四個FET的轉(zhuǎn)移特性分別如圖a、b、c、d所示，其中漏極電流iD的方向是它的實(shí)際方向。試問它們各是哪種類型的FET？

參考答案：
由圖可見：圖a為P溝道JFET；圖b為N溝道耗盡型MOSFET；圖c為P溝道耗盡型MOSFET；圖d為N溝道...

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5.問答題 一個MOSFET的轉(zhuǎn)移特性如圖所示（其中漏極電流iD的方向是它的實(shí)際方向）。試問：
（1）該管是耗盡型還是增強(qiáng)型？
（2）是N溝道還是P溝道FET？
（3）從這個轉(zhuǎn)移特性上可求出該FET的夾斷電壓VP還是開啟電壓VT？其值等于多少？

參考答案：

由圖可見，它是P溝道增強(qiáng)型MOSFET，其VT=－4V。