化學(xué)氣相沉積乃是通過化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標是溫度的數(shù)值表示方法。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

在CVD 技術(shù)中反應(yīng)劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)，且有很高的純度。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。