問(wèn)答題什么是外延層？為什么硅片上要使用外延層？
您可能感興趣的試卷
最新試題
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。
題型：?jiǎn)柎痤}
在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
描述RF濺射系統(tǒng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
刻蝕工藝有哪兩種類(lèi)型？簡(jiǎn)單描述各類(lèi)刻蝕工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
例出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
題型：?jiǎn)柎痤}
描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}