處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。