判斷題法拉第電磁感應(yīng)定律表明，線圈內(nèi)磁通變化的速率越大則感應(yīng)電動(dòng)勢越小。
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3.單項(xiàng)選擇題載流導(dǎo)體在磁場中所受到磁場力的方向由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
4.單項(xiàng)選擇題直導(dǎo)體切割磁力線產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢的方向可由（）確定。
A、右手定則
B、右手螺旋定則
C、左手定則
D、歐姆定律
5.單項(xiàng)選擇題電流所產(chǎn)生磁場的方向按（）確定。
A、歐姆定律
B、右手螺旋定則
C、基爾霍夫定律
D、楞次定律
最新試題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型：判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題