單項(xiàng)選擇題
電路如圖所示,Tl和T2管為超β管,電路具有理想的對(duì)稱性。
A.增大輸入級(jí)的耐壓值 B.增大放大能力 C.增大帶負(fù)載能力
A.增大輸入電阻 B.增大電流放大系數(shù) C.展寬頻帶
A.共集-共基接法 B.共集-共射接法 C.共射-共基接法
問答題
電路如圖所示,晶體管的β=60,rbb=100Ω。 (1)求解Q點(diǎn)、Au、Ri和Ro (2)設(shè)Us=10mV(有效值),求Ui、Uo;若C3開路,求Ui、Uo
(1)Q點(diǎn):
電路如圖所示,Tl和T2管的特性相同,所有晶體管的β均相同,Rcl遠(yuǎn)大于二極管的正向電阻。當(dāng)uI1=uI2=0V時(shí),u0=0V。 (1)求解電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式; (2)當(dāng)有共模輸入電壓時(shí),u0=?簡述理由。
電路如圖所示,晶體管的β=80,rbe=1kΩ。 (1)求出Q點(diǎn); (2)分別求出RL=∞和RL=3kΩ時(shí)電路的Au、Ri和Ro。
(1)求解Q點(diǎn):
電路如圖所示,具有理想的對(duì)稱性。設(shè)各管β均相同。 (1)說明電路中各晶體管的作用; (2)若輸入差模電壓為(uI1-uI2)產(chǎn)生的差模電流為ΔiD,則電路的電流放大倍數(shù)
電路如圖所示,晶體管β=100,rbb=100Ω。 (1)求電路的Q點(diǎn)、Au、Ri和Ro; (2)若改用β=200的晶體管,則Q點(diǎn)如何變化? (3)若電容Ce開路,則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化?如何變化?
(1)靜態(tài)分析:
電路如圖所示,Tl與T2管特性相同,它們的低頻跨導(dǎo)為gm;T3與T4管特性對(duì)稱;T2與T4管d-s間的動(dòng)態(tài)電阻分別為rds2和rds4。試求出電壓放大倍數(shù)Au=Δu0/(uI1-uI2)的表達(dá)式。
在圖所示電路中,設(shè)靜態(tài)時(shí)ICQ=2mA,晶體管飽和管壓降UCES=0.6V。試問:當(dāng)負(fù)載電阻RL=∞和RL=3kΩ時(shí),電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏?
已知圖所示電路中,晶體管β=100,rbe=1.4kΩ。 (1)現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降UCEQ=6V,估算Rb; (2)若測得Ui和Uo的有效值分別為1mV和100mV,則負(fù)載電阻RL為多少?