光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。