問(wèn)答題解釋說(shuō)明自對(duì)準(zhǔn)柵工藝流程，為什么當(dāng)圖形化尺寸小到0.18um時(shí)，使用鈷硅化物取代鈦硅化物？為什么當(dāng)圖形化尺寸小到65nm時(shí)，使用鎳硅化物取代鈷硅化物？
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影響封裝芯片特性的溫度有（）。
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硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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常壓的硅外延方法有（）。
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多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
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摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題