互連工藝中AL的制備可選用（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。