CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）