硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。