摻雜后退火時間一般在（）。

常壓的硅外延方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）