多項(xiàng)選擇題

CMOSIC通常采取那種隔離方法（）

A.局部場(chǎng)氧化
B.淺槽隔離
C.pn結(jié)隔離
D.混合隔離

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多項(xiàng)選擇題

可以采取哪種方法來(lái)提高光刻分辨率（）

A.增長(zhǎng)光源波長(zhǎng)
B.增大分辨率系數(shù)
C.減小分辨率系數(shù)
D.縮短光源波長(zhǎng)

多項(xiàng)選擇題

下列哪個(gè)工藝方法應(yīng)用了等離子體技術(shù)（）

A.RIE
B.MOCVD
C.濺射
D.LPCVD

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