多項(xiàng)選擇題CMOSIC通常采取那種隔離方法（）
A.局部場(chǎng)氧化
B.淺槽隔離
C.pn結(jié)隔離
D.混合隔離
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1.多項(xiàng)選擇題可以采取哪種方法來提高光刻分辨率（）
A.增長光源波長
B.增大分辨率系數(shù)
C.減小分辨率系數(shù)
D.縮短光源波長
2.多項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)工藝方法應(yīng)用了等離子體技術(shù)（）
A.RIE
B.MOCVD
C.濺射
D.LPCVD
3.單項(xiàng)選擇題實(shí)際VPE工藝溫度多在質(zhì)量傳遞控制區(qū)，此時(shí)外延速率（）
A.對(duì)溫度不太敏感
B.對(duì)溫度非常敏感
C.源的氣相擴(kuò)散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大
最新試題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項(xiàng)選擇題