多項選擇題下列哪個工藝方法應用了等離子體技術（）
A.RIE
B.MOCVD
C.濺射
D.LPCVD
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1.單項選擇題實際VPE工藝溫度多在質量傳遞控制區(qū)，此時外延速率（）
A.對溫度不太敏感
B.對溫度非常敏感
C.源的氣相擴散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大
4.判斷題中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。
最新試題
目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）
題型：單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
鳥嘴效應造成的不良影響有（）。
題型：多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）
題型：多項選擇題