判斷題涂膠前的打底膜是為了增強光刻膠與襯底之間的浸潤性。
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2.判斷題中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。
4.多項選擇題蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因（）
A.為了避免蒸發(fā)分子（或原子）被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質(zhì)
C.為了減小蒸發(fā)分子（或原子）的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦
5.單項選擇題PVD與CVD比較，下列哪種說法正確（）
A.CVD普適性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工藝溫度更低
D.PVD薄膜與襯底的粘附性較差
最新試題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
題型：單項選擇題
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
題型：單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題