單項選擇題實際VPE工藝溫度多在質量傳遞控制區(qū)，此時外延速率（）
A.對溫度不太敏感
B.對溫度非常敏感
C.源的氣相擴散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大
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3.判斷題中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。
5.多項選擇題蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因（）
A.為了避免蒸發(fā)分子（或原子）被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質
C.為了減小蒸發(fā)分子（或原子）的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦