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填空題開啟電壓（閾值電壓）的高低與柵下半導(dǎo)體中的（），柵氧化層的（）、（）、（）、（）等有關(guān)。載流子濃度越高，開啟電壓的絕對(duì)值（）；柵氧化層厚度越厚，開啟電壓的絕對(duì)值（）。

1.填空題MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開啟電壓指的是：（）。所以，NMOS管的開啟電壓為（），PMOS管的開啟電壓為（）。

2.填空題光刻工藝的分辨率決定于：（）和曝光、顯影、刻蝕條件的正確控制。正膠的分辨率（）于負(fù)膠的分辨率；光刻膠越薄，分辨率越（）。

3.填空題前烘的目的是（）使膠膜中的溶劑只有初始濃度的（）。從而，使膠的（）性能穩(wěn)定。對(duì)正膠，前烘過度會(huì)使非曝光區(qū)的膠（）；前烘不足，會(huì)使膠的感光度（），對(duì)比度（），線條邊緣不陡直。所以，必須嚴(yán)格控制前烘的（）和（）。

4.填空題光刻膠的三種主要成分是：（）。正膠的感光劑是（），曝光使其（），正膠的曝光區(qū)在顯影后（）；曝光使負(fù)膠的感光劑（），使曝光區(qū)在顯影后（）。

5.填空題光學(xué)光刻機(jī)的主要曝光光線的是波長為（）的g線和（）的i線，適合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF準(zhǔn)分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。