光刻工藝的特點包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

常壓的硅外延方法有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。