硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。