名詞解釋半導(dǎo)體
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1.單項選擇題對稱三相交流電路無功功率的表達(dá)式sin3UIQ中的電壓和電流是()。
A、線電壓和線電流
B、線電壓和相電流
C、相電壓和線電流
D、相電壓和相電流
2.單項選擇題一般情況下,電力系統(tǒng)的自然功率因數(shù)()。
A、滯后且小于1
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
3.單項選擇題功率三角形中,功率因數(shù)角所對的邊是()。
A、視在功率
B、瞬時功率
C、有功功率
D、無功功率
4.單項選擇題電阻與電感串聯(lián)的交流電路中,當(dāng)電阻與感抗相等時,則電壓與電流的相位關(guān)系是()。
A、電壓超前π/2
B、電壓超前π/3
C、電壓超前π/4
D、電壓滯后π/4
5.單項選擇題在純電感交流電路中,電壓保持不變,提高電源頻率,電路中的電流將會()。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
最新試題
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
題型:填空題