名詞解釋本征半導(dǎo)體
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1.名詞解釋半導(dǎo)體
2.單項(xiàng)選擇題對(duì)稱三相交流電路無(wú)功功率的表達(dá)式sin3UIQ中的電壓和電流是()。
A、線電壓和線電流
B、線電壓和相電流
C、相電壓和線電流
D、相電壓和相電流
3.單項(xiàng)選擇題一般情況下,電力系統(tǒng)的自然功率因數(shù)()。
A、滯后且小于1
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
4.單項(xiàng)選擇題功率三角形中,功率因數(shù)角所對(duì)的邊是()。
A、視在功率
B、瞬時(shí)功率
C、有功功率
D、無(wú)功功率
5.單項(xiàng)選擇題電阻與電感串聯(lián)的交流電路中,當(dāng)電阻與感抗相等時(shí),則電壓與電流的相位關(guān)系是()。
A、電壓超前π/2
B、電壓超前π/3
C、電壓超前π/4
D、電壓滯后π/4
最新試題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個(gè)極,()個(gè)區(qū),()個(gè)PN結(jié)。
題型:填空題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
題型:填空題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
晶體管正常使用過(guò)程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
題型:填空題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題