實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料的厚度會(huì)對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。