由于漏-源電壓引起的源極和襯底之間的勢壘高度降低,從而導(dǎo)致漏電流的迅速增大。
溝道寬度變窄后閾值電壓的偏移。
為了減小電壓擊穿效應(yīng),在緊鄰溝道處制造一輕摻雜漏區(qū)的MOSFET。