當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。