MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。