進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

摻雜后，退火的目的是（）。