問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】影響擴(kuò)散工藝中雜質(zhì)分布的因素

答案：

1、時(shí)間與溫度，恒定表面源主要是時(shí)間。
2、硅晶體中存在其他類(lèi)型的點(diǎn)缺陷

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答案：

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2、屏蔽氧化層
3、遮蔽氧化層
4、場(chǎng)區(qū)和局部氧化層
5、襯墊氧化層
6、犧牲氧化層
7、柵極氧化層
8、阻擋氧化層