1、時(shí)間與溫度,恒定表面源主要是時(shí)間。 2、硅晶體中存在其他類(lèi)型的點(diǎn)缺陷
1、原生氧化層 2、屏蔽氧化層 3、遮蔽氧化層 4、場(chǎng)區(qū)和局部氧化層 5、襯墊氧化層 6、犧牲氧化層 7、柵極氧化層 8、阻擋氧化層