刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。