多項選擇題

?P在兩歩擴散工藝中，第二步再分布的同時又進行了熱氧化（kp=10），這會給再分布擴散帶來哪些影響？（）

A.P擴散速度加快
B.擴入Si的P總量下降
C.在SiO₂/Si界面Si一側的P耗竭（是指低于SiO₂一側）
D.在SiO₂/Si界面Si一側的P堆積（是指高于SiO₂一側）

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多項選擇題

?硅恒定源擴散，在擴散溫度硅的固溶度為N_s，在進行了40min擴散后，測得結深是1.5μm，若要獲得2.0μm的結深，在原工藝基礎上應再擴散多少分鐘？硅表面雜質濃度是多少？（）

A.雜質表面濃度< N_s
B.雜質表面濃度=N_s
C.應再擴散71min
D.表面雜質濃度等于該工藝溫度時硅的固溶度

單項選擇題

多晶硅薄膜通常采取哪種方法制備？（）

A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD