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A.雜質(zhì)表面濃度< N_s
B.雜質(zhì)表面濃度=N_s
C.應(yīng)再擴散71min
D.表面雜質(zhì)濃度等于該工藝溫度時硅的固溶度

A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD

A.核阻止和電子阻止是獨立的
B.核阻止本領(lǐng)>電子阻止本領(lǐng)
C.核阻止本領(lǐng)< 電子阻止本領(lǐng)
D.核阻止和電子阻止與入射離子能量無關(guān)

A.溫度升高，略有下降
B.與溫度無關(guān)
C.溫度升高，略有增加
D.都相同

A.是有限源擴散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)
B.是有限源擴散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
C.是恒定源擴散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
D.是恒定源擴散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)

A.濕氧比干氧慢得多
B.氧化反應(yīng)是在Si/SiO₂界面發(fā)生的
C.水汽氧化層比干氧氧化層致密
D.升高氧氣（或水汽）分壓不影響生長速率

A.局部場氧化
B.淺槽隔離
C.pn結(jié)隔離
D.混合隔離

A.增長光源波長
B.增大分辨率系數(shù)
C.減小分辨率系數(shù)
D.縮短光源波長

A.RIE
B.MOCVD
C.濺射
D.LPCVD

A.對溫度不太敏感
B.對溫度非常敏感
C.源的氣相擴散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大