多項選擇題?硅恒定源擴散，在擴散溫度硅的固溶度為Ns，在進行了40min擴散后，測得結深是1.5μm，若要獲得2.0μm的結深，在原工藝基礎上應再擴散多少分鐘？硅表面雜質(zhì)濃度是多少？（）

A.雜質(zhì)表面濃度< Ns
B.雜質(zhì)表面濃度=Ns
C.應再擴散71min
D.表面雜質(zhì)濃度等于該工藝溫度時硅的固溶度


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1.單項選擇題多晶硅薄膜通常采取哪種方法制備？（）

A.磁控濺射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD

2.單項選擇題?基于LSS理論，離子注入受到靶原子核與電子的阻止，（）。

A.核阻止和電子阻止是獨立的
B.核阻止本領>電子阻止本領
C.核阻止本領< 電子阻止本領
D.核阻止和電子阻止與入射離子能量無關

3.單項選擇題?CVD可分為低溫工藝、中溫工藝、高溫工藝，不同溫度制備的同種薄膜（如SiO2）的密度（）

A.溫度升高，略有下降
B.與溫度無關
C.溫度升高，略有增加
D.都相同

4.單項選擇題

看圖判斷下列描述是否正確？（）

A.是有限源擴散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)
B.是有限源擴散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
C.是恒定源擴散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
D.是恒定源擴散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)

5.單項選擇題關于硅的熱氧化，下面哪種說法正確？（）

A.濕氧比干氧慢得多
B.氧化反應是在Si/SiO2界面發(fā)生的
C.水汽氧化層比干氧氧化層致密
D.升高氧氣（或水汽）分壓不影響生長速率