單項(xiàng)選擇題

關(guān)于硅的熱氧化，下面哪種說法正確？（）

A.濕氧比干氧慢得多
B.氧化反應(yīng)是在Si/SiO2界面發(fā)生的
C.水汽氧化層比干氧氧化層致密
D.升高氧氣（或水汽）分壓不影響生長(zhǎng)速率

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