單項選擇題關(guān)于硅的熱氧化，下面哪種說法正確？（）
A.濕氧比干氧慢得多
B.氧化反應(yīng)是在Si/SiO2界面發(fā)生的
C.水汽氧化層比干氧氧化層致密
D.升高氧氣（或水汽）分壓不影響生長速率
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1.多項選擇題CMOSIC通常采取那種隔離方法（）
A.局部場氧化
B.淺槽隔離
C.pn結(jié)隔離
D.混合隔離
2.多項選擇題可以采取哪種方法來提高光刻分辨率（）
A.增長光源波長
B.增大分辨率系數(shù)
C.減小分辨率系數(shù)
D.縮短光源波長
3.多項選擇題下列哪個工藝方法應(yīng)用了等離子體技術(shù)（）
A.RIE
B.MOCVD
C.濺射
D.LPCVD
4.單項選擇題實際VPE工藝溫度多在質(zhì)量傳遞控制區(qū)，此時外延速率（）
A.對溫度不太敏感
B.對溫度非常敏感
C.源的氣相擴散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大
最新試題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
題型：單項選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項選擇題