單項(xiàng)選擇題

看圖判斷下列描述是否正確？（）

A.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)
B.是有限源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
C.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是余誤差函數(shù)
D.是恒定源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布是高斯函數(shù)


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于硅的熱氧化，下面哪種說法正確？（）

A.濕氧比干氧慢得多
B.氧化反應(yīng)是在Si/SiO2界面發(fā)生的
C.水汽氧化層比干氧氧化層致密
D.升高氧氣（或水汽）分壓不影響生長速率

2.多項(xiàng)選擇題CMOSIC通常采取那種隔離方法（）

A.局部場氧化
B.淺槽隔離
C.pn結(jié)隔離
D.混合隔離

3.多項(xiàng)選擇題可以采取哪種方法來提高光刻分辨率（）

A.增長光源波長
B.增大分辨率系數(shù)
C.減小分辨率系數(shù)
D.縮短光源波長

4.多項(xiàng)選擇題下列哪個工藝方法應(yīng)用了等離子體技術(shù)（）

A.RIE
B.MOCVD
C.濺射
D.LPCVD

5.單項(xiàng)選擇題實(shí)際VPE工藝溫度多在質(zhì)量傳遞控制區(qū)，此時(shí)外延速率（）

A.對溫度不太敏感
B.對溫度非常敏感
C.源的氣相擴(kuò)散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大