解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？

例舉離子注入工藝和擴散工藝相比的優(yōu)點和缺點。

敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。

什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？

解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。

解釋正性光刻和負性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

解釋離子束擴展和空間電荷中和。

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？

給出投影掩模板的定義。投影掩模板和光掩模板的區(qū)別是什么？

什么是結(jié)深？