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問答題
【簡答題】為什么柵介質(zhì)層的厚度減少有一個大致的極限？為什么現(xiàn)在需要高K值（介電常數(shù)）的柵介質(zhì)？低K介質(zhì)用在什么地方？為什么？
答案：
隨著特征尺寸的縮小，柵氧化層越來越薄，柵極隧穿漏電流指數(shù)性增加，從而導致功耗增加。高k介質(zhì)用在替代柵氧化層，提高柵氧厚度...
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問答題
【簡答題】在大規(guī)模集成電路中，閂鎖效應來自于MOS器件有源區(qū)PN結(jié)與襯底之間寄生的雙極性晶體管。請舉出3種微電子工藝中利用離子注入或別的手段抑制或消除閂鎖效應的方法。
答案：
抑制CMOS電路中閂鎖效應（Latchup）的方法有：
①SOI襯底技術；
②大劑量離子注入形成深埋...
①SOI襯底技術；
②大劑量離子注入形成深埋...
問答題
【簡答題】比較投影掩模版和光學掩模版有何異同？說明采用什么技術形成投影掩模版上的圖形？
答案：
投影掩膜版：圖形可能僅包含一個管芯，也可能是幾個。容易形成亞微米圖形；小曝光場，需要步進重復；光學縮小，允許較大的尺寸。...
