說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。