問答題

【簡答題】離子注入后為什么要退火，高溫退火和快速熱處理哪個更優(yōu)越，為什么？

答案：離子注入會將原子撞擊出晶格結(jié)構(gòu)而損傷硅片晶格。如果注入的劑量很大，被注入層將變成非晶。另外，被注入離子基本不占據(jù)硅的晶格...

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【簡答題】為什么柵介質(zhì)層的厚度減少有一個大致的極限？為什么現(xiàn)在需要高K值（介電常數(shù)）的柵介質(zhì)？低K介質(zhì)用在什么地方？為什么？

答案：隨著特征尺寸的縮小，柵氧化層越來越薄，柵極隧穿漏電流指數(shù)性增加，從而導致功耗增加。高k介質(zhì)用在替代柵氧化層，提高柵氧厚度...

【簡答題】在大規(guī)模集成電路中，閂鎖效應來自于MOS器件有源區(qū)PN結(jié)與襯底之間寄生的雙極性晶體管。請舉出3種微電子工藝中利用離子注入或別的手段抑制或消除閂鎖效應的方法。

答案：抑制CMOS電路中閂鎖效應（Latchup）的方法有：
①SOI襯底技術；
②大劑量離子注入形成深埋...