A.工件尺寸
B.磁導(dǎo)率
C.矯頑力
D.預(yù)計(jì)缺陷延伸方向
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A.圖像分辨率
B.圖像不清晰
C.對(duì)比靈敏度
D.像素
A.放射性標(biāo)志
B.報(bào)警裝置
C.工作信號(hào)燈
D.安全聯(lián)鎖裝置
A.照射量
B.有效劑量
C.比釋動(dòng)能
D.吸收劑量
A.按現(xiàn)行檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)編制,適用于單位的檢測(cè)對(duì)象
B.滿足相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)的要求
C.滿足相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)要求
D.經(jīng)濟(jì)上合理
A.比例計(jì)數(shù)器
B.電離室
C.半導(dǎo)體檢測(cè)器
D.GM計(jì)數(shù)器
最新試題
無(wú)論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。
根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知,在反射體直徑相同的情況下,圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。
由于超聲波對(duì)進(jìn)入面的表面粗糙度、入射超聲束的方向等有一定的要求,必要時(shí)應(yīng)通過(guò)增添專門的工序,采用經(jīng)批準(zhǔn)的加工方法準(zhǔn)備超聲波進(jìn)入面。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊,使之形成高溫耦合層。
缺陷垂直時(shí),擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高,而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上,從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。
當(dāng)工件內(nèi)應(yīng)力與波的傳播方向一致時(shí),若應(yīng)力為壓縮應(yīng)力,則應(yīng)力作用會(huì)使工件彈性增加,導(dǎo)致聲速減慢。
儀器時(shí)基線調(diào)節(jié)比例時(shí),若回波前沿沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)垂直刻度或讀數(shù)不準(zhǔn),會(huì)使缺陷定位誤差增加。
當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束,發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的,因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。
水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。