在離子晶體中，由于電中性的要求，肖特基缺陷都成對地產(chǎn)生。令n代表正負離子空位的對數(shù)，u是形成一對缺陷所需要的能量，N為整個離子晶體中正負離子對的數(shù)目，證明

離子晶體中，肖特基缺陷多成對產(chǎn)生。如n代表正負離子空位的數(shù)目，u₀代表產(chǎn)生一對缺陷所需要的能量，N代表晶體中原有正負離子對的數(shù)目，理論上可推出式中，γ和B分別是與原子的振動頻率的改變和缺陷激活能隨體積變化有關的參量。設試求T=300K和T=1000K時由于有肖特基缺陷后體積的相對變化ΔV/V。

已知，由N個惰性氣體原子結(jié)合成的具有面心立方結(jié)構的晶體，其互作用能可表示為式中，ε，σ為參數(shù)；R為原子最近鄰間距。試求：
（1）平衡時的晶體體積；
（2）體積彈性模量；
（3）抗張強度。

設兩原子間的互作用能可表示為。若m=2，n=10，而且兩原子構成穩(wěn)定的分子，其核間距離為3×10^-10，離解能為4eV，試計算
（1）α，β；
（2）使該分子分裂所必須的力和當分裂發(fā)生時原子核間的臨界間距；
（3）使原子間距比平衡距離減少10%時所需要的壓力。