刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝的特點包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。