填空題

P溝道MOSFET的襯底是（）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（）。

答案： N；P；空穴

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N溝道MOSFET的襯底是（）型半導(dǎo)體，源區(qū)和漏區(qū)是（）型半導(dǎo)體，溝道中的載流子是（）。

答案： P；N；電子

對高頻晶體管結(jié)構(gòu)上的基本要求是：（）、（）、（）和（）。

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