金屬化中可選用的金屬材料有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）