問(wèn)答題負(fù)膠的兩大缺點(diǎn)是什么。
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1.問(wèn)答題列出并描述I線光刻膠的4種成分。
2.問(wèn)答題什么是負(fù)膠分辨率的限制，哪種膠應(yīng)用在亞微米光刻膠中？
3.問(wèn)答題列出并描述兩種主要的光刻膠。
4.問(wèn)答題給出硅片制造中光刻膠的兩種目的。
5.問(wèn)答題列出光刻的8個(gè)步驟，并對(duì)每一步做出簡(jiǎn)要解釋。
最新試題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
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下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
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目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題