R.K*入/NA 1,波長 入 2,數值孔徑NA 3,工藝因子K
最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物?()
厚膜電阻的成分,一是導體顆粒,二是()。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是()。
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
芯片粘接的工藝過程包括()。
互連工藝中AL的制備可選用()。
新的平坦化方法有哪幾個?()
注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關?()
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。