單項(xiàng)選擇題
如圖所示，晶體管之β=40，使晶體管飽和之最小IB為？（）
A.2mA
B.1mA
C.0.5mA
D.0.1mA
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1.單項(xiàng)選擇題制作晶體管時(shí)，各接腳區(qū)的摻雜濃度為（）
A.E>B>C
B.B>E>C
C.E>C>B
D.C>E>B
2.單項(xiàng)選擇題有α值為0.99的晶體管，若射極電流變化2mA，VCB固定，則集極電流變化為（）mA.
A.0.02
B.1.98
C.0.495
D.2.54
3.單項(xiàng)選擇題若晶體管位于截止區(qū)，則電壓特性為（）
A.VEB順偏，VCB順偏
B.VEB順偏，VCB逆偏
C.VEB逆偏，VCB逆偏
D.VEB逆偏，VCB順偏
4.單項(xiàng)選擇題NPN晶體管若欲工作在作用區(qū)（active-region），則（）
A.基射接面需順偏，基集接面需順偏
B.基射接面需順偏，基集接面需反偏
C.基射接面需反偏，基集接面需順偏
D.基射接面需反偏，基集接面需反偏
5.單項(xiàng)選擇題晶體管放電路之功率增益為AP，電壓增益為AV，電流增益為AI，三者之關(guān)系為AP=AV·AI，試問下列何種電路何功率增益AP最高？（）
A.共基極放大電路
B.共射極放大電路
C.共集極放大電路
D.以上皆是
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關(guān)于RC正弦波振蕩器的說法，正確的是（）
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