問(wèn)答題為什么要采用LDD工藝？它是如何減小溝道漏電流的？
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1.問(wèn)答題光刻和刻蝕的目的是什么？
2.問(wèn)答題離子注入后為什么要進(jìn)行退火？
3.問(wèn)答題離子注入前一般需要先生長(zhǎng)氧化層，其目的是什么？
5.問(wèn)答題例舉出7種先進(jìn)封裝技術(shù)。
最新試題
描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
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光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么？
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例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
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例舉雙大馬士革金屬化過(guò)程的10個(gè)步驟。
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解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
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解釋什么是暗場(chǎng)掩模板？
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在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
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定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
題型：?jiǎn)柎痤}
描述電子回旋共振（ECR）。
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例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
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