下圖的表達(dá)式是()。
A.
B.
C.
D.
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對(duì)于輸出單元中的隔離環(huán)結(jié)構(gòu),說法不正確的是()。
A.隔離環(huán)中設(shè)計(jì)了良好的電源、地接觸
B.防止觸發(fā)CMOS結(jié)構(gòu)的寄生可控硅效應(yīng)燒毀電路
C.版圖采用了多柵并聯(lián)結(jié)構(gòu),源漏區(qū)的金屬引線設(shè)計(jì)成叉指狀結(jié)構(gòu)
D.PMOS管的尺寸比NMOS管小,這樣可使倒相器的輸出波形對(duì)稱
A.對(duì)內(nèi)提供內(nèi)外的隔離和輸入保護(hù)功能
B.連接芯片內(nèi)部與芯片外部系統(tǒng)(壓焊塊)
C.對(duì)外的驅(qū)動(dòng)
D.大部分I/O PAD都不是以標(biāo)準(zhǔn)單元的結(jié)構(gòu)形式出現(xiàn)
下面版圖對(duì)應(yīng)的邏輯表達(dá)式是()。
A.(A+B)*(C+D)
B.
C.
D.A*B+C*D
下圖所對(duì)應(yīng)的兩種情況,敘述正確的是()。
A.情況b:M3和M4同時(shí)不導(dǎo)通
B.情況a:M3和M4同時(shí)導(dǎo)通
C.情況a:M3或M4導(dǎo)通
D.情況b:M3和M4同時(shí)導(dǎo)通
?下圖是一條典型的路徑,起始端為兩個(gè)觸發(fā)器,中間為組合邏輯。對(duì)寄存器R2來講,時(shí)序上必須滿足保持時(shí)間的要求。原因是什么?()
A.為了讓R2的數(shù)據(jù)傳給下一級(jí)的數(shù)據(jù)不被提早傳遞過來的數(shù)據(jù)沖掉,產(chǎn)生冒險(xiǎn)
B.為了讓R2的數(shù)據(jù)能正確的傳遞給下一個(gè)周期
C.為了讓觸發(fā)器R2在時(shí)鐘翻轉(zhuǎn)之前數(shù)據(jù)保存有效
D.為了讓R1的數(shù)據(jù)能在一個(gè)周期內(nèi)通過組合邏輯傳遞給R2
最新試題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
倒裝芯片的連接方式有()。
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說法正確的是()。