CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強(qiáng)控制部件等部分組成。

高壓合成，就是利用外加的高壓力，使物質(zhì)產(chǎn)生多型相變或發(fā)生不同物質(zhì)間的化合，而得到新相、新化合物或新材料。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設(shè)備稱(chēng)為真空獲得設(shè)備或真空泵。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

簡(jiǎn)述熱電偶真空規(guī)測(cè)量原理。

簡(jiǎn)述特殊活性原料的獲得方法及效果。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動(dòng)，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

MoSi2宜在低于1000℃下長(zhǎng)時(shí)間使用。

化學(xué)氣相沉積乃是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵(lì)或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

光學(xué)高溫計(jì)只要選取一定的波長(zhǎng)，通常選λ=0.78μm。