A.對(duì)比試塊
B.標(biāo)準(zhǔn)試塊
C.模擬試塊
D.專用試塊
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A.對(duì)比試塊
B.標(biāo)準(zhǔn)試塊
C.模擬試塊
D.專用試塊
A.測(cè)試、校驗(yàn)儀器和探頭的性能
B.調(diào)整時(shí)基線、確定靈敏度
C.測(cè)試工件的聲阻抗
D.評(píng)判缺陷大小
A.頻率為2MHz,晶片材料鋯鈦酸鉛陶瓷,晶片直徑25mm的直探頭
B.頻率為2.5MHz,晶片材料鈦酸鉛陶瓷,晶片直徑20mm的直探頭
C.頻率為2.5MHz,晶片材料鋯鈦酸鉛陶瓷,晶片直徑20mm的直探頭
D.頻率為2.5MHz,晶片材料鈦酸鉛陶瓷,晶片直徑20mm的雙晶直探頭
A.雙晶直探頭
B.縱波直探頭
C.表面波探頭
D.雙晶斜探頭
A.壓電應(yīng)變常數(shù)
B.壓電電壓常數(shù)
C.介電常數(shù)
D.機(jī)械品質(zhì)因子
最新試題
缺陷的定量包括缺陷大小和數(shù)量的確定,而缺陷的大小可由缺陷的面積或()來表征。
當(dāng)縱波直探頭置于細(xì)長(zhǎng)工件上時(shí),在底波之后出現(xiàn)一系列的波,這種波是()。
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí),下面敘述中()是錯(cuò)誤的。
()可以檢測(cè)出與探測(cè)面相垂直的面狀缺陷。
()是影響缺陷定量的因素。
直接接觸法是指探頭與工件之間()。
超聲檢測(cè)對(duì)缺陷定位時(shí),()不是影響缺陷定位的主要因素。
超聲檢測(cè)儀盲區(qū)是指()。
利用底波計(jì)算法進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)時(shí),適用的工件厚度為()。
探頭延檢測(cè)面水平移動(dòng),超聲檢測(cè)系統(tǒng)區(qū)分兩個(gè)相鄰缺陷的能量稱為()。