化學(xué)氣相沉積乃是通過化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進(jìn)行的反應(yīng)，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應(yīng)的推動來實現(xiàn)。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

吸附質(zhì)從流體主體通過分子與對流擴散穿過薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱之為外擴散過程。

空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團(tuán)少的化合物的吸附力大于極性基團(tuán)多的化合物。