如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。